日本toa-esm半導(dǎo)體制造等離子清潔器

日本toa-esm半導(dǎo)體制造等離子清潔器
常壓?低溫?高速：傳統(tǒng)真空工藝無法實(shí)現(xiàn)的新表面處理
常壓下成膜：無需真空腔，在線連續(xù)處理成為可能
低溫工藝：樹脂、薄膜等熱敏基材也可直接成膜
高速聚合：數(shù)秒～數(shù)十秒即可完成納米級薄膜沉積

產(chǎn)品型號：CP-Plasner
廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商
更新時間：2025-11-29
訪問量：38

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日本toa-esm半導(dǎo)體制造等離子清潔器
日本toa-esm半導(dǎo)體制造等離子清潔器

等離子體聚合裝置 CP-Plasner

常壓?低溫?高速：傳統(tǒng)真空工藝無法實(shí)現(xiàn)的新表面處理

常壓下成膜：無需真空腔，在線連續(xù)處理成為可能
低溫工藝：樹脂、薄膜等熱敏基材也可直接成膜
高速聚合：數(shù)秒～數(shù)十秒即可完成納米級薄膜沉積
綠色環(huán)保：干式工藝，無溶劑排放

可沉積單體（示例）
HMDSO、TEOS、TMS、丙烯酸、硅氧烷、氟系單體等
→ 可形成 SiO?、SiC、類聚丙烯酸、氟碳等納米涂層

主要應(yīng)用方向
① 阻氣／阻水膜（OLED、封裝、光伏背板等）
② 保護(hù)膜（電子元件、光學(xué)膜、醫(yī)療器械）
③ 功能化（提高附著力、控制親疏水、生物相容性等）

裝置規(guī)格（CP-Plasner 系列）

處理幅：50 mm～500 mm（可按需求定制）
線速：0.1～10 m/min（取決于目標(biāo)膜厚）
等離子體功率：1～10 kW（RF／微波可選）
單體供給：微流量精密注入系統(tǒng)，可脈沖或連續(xù)
控制：觸屏＋PLC，配方管理、數(shù)據(jù)記錄、遠(yuǎn)程接口完備

工藝支持

提供工藝數(shù)據(jù)庫與初步打樣
支持客戶自帶單體進(jìn)行驗(yàn)證
可升級為卷對卷（Roll-to-Roll）或批量式設(shè)備

氣體導(dǎo)入流量調(diào)節(jié)管道與等離子體點(diǎn)火方法

無論清潔時間長短，真空容器內(nèi)的壓力都不會發(fā)生變動。
清洗流程的壓力將根據(jù)設(shè)備規(guī)格進(jìn)行優(yōu)化，并在事先協(xié)商的基礎(chǔ)上確定。

穩(wěn)定等離子體生成

由于壓力不變，可產(chǎn)生穩(wěn)定的等離子體。
RF反射量穩(wěn)定，實(shí)現(xiàn)均勻的清潔效果。

一鍵操作

只要設(shè)定清洗條件（RF輸出、清洗時間），即可一鍵完成處理。
搭載操作簡便的觸控面板，便于菜譜登記和使用情況管理。
RF的開關(guān)可通過專用開關(guān)輕松操作。

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日本toa-esm半導(dǎo)體制造等離子清潔器

氣體導(dǎo)入流量調(diào)節(jié)管道與等離子體點(diǎn)火方法

穩(wěn)定等離子體生成

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